第211章 读取快了10倍,写入快了20倍
枫火集团公司,阻变式存储器研发中心。
经过了大半年的持续研发,已经是地中海发型的冯高平带着团队,在江成的指导下吃透了徐伟大佬他们一行整出的专利,并且在此基础上研发实现了量产技术。
“江总,目前我们已经初步实现了两种存储芯片的研发,第一类是阻变式缓存,我们称之为hrram,读取速度达到了35gb/s,可以用于手机soc芯片,车规级芯片。”
冯高平拿着比小指指甲还小的小小芯片递给了江成看。
“第二类是阻变式内存,drram,这一块的制造工艺是90nm,但存储容量到了4gb,读取速度达20gb/s。”
江成拿了到手上,瞬间模拟进入了体内的超技术实验室。
“写入速度呢?”
“顺序写入速度也有10gb/s,随机写入也达到了2gb/s以上。”冯高平声音非常地激动。
这还是他第一次研发出来这么强大的存储芯片。
比起当前的手机内存来说,读取快了10倍,写入快了20倍!
江成径自将这些芯片替换到了体内模拟实验室中的枫火手机,先是换了运行内存。
相关的接口协议同步拷贝到了芯片级系统之中。
“连续读写速度表现非常不错。”江成点点头,“不过,你们要再增设一个电源管理芯片,以防存储芯片因电流电压不稳被击穿。”
冯高平应了声,对江成的佩服得很,“我们在试验中也发现了可能会出现这个问题,已经在做适配的电源管理芯片了。”
“做得好。”江成赞扬了一句,随后又问,“你是国科大毕业的吧?”
“是,微电子科学专业的。”冯高平回答,“毕业四五年了。”
“今天后,由你任存储器研发部经理,好好干。”江成轻拍了拍他的肩膀。
这一段时间的考察,冯高平表现确实是可圈可点。
至少看他那样子,就不像是刚毕业四五年的样子,至少是毕业十几年的模样。
冯高平有些激动,“感谢江总信任!”
“继续研发完善,现在的制程我还是不太满意,希望达到45纳米,甚至是28纳米制程,另外这么大的芯片,要
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