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直播在荒野手搓核聚变

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第一百七十二章:碳基芯片
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  看着虚拟屏幕上的二级任务奖励,韩元的喉结动了动,情不自禁的咽了下口水。

  翻身,起立,他飞奔回书房打开电脑,从网上搜索着有关芯片相关的信息。

  【碳基芯片、仿生机器人、元宇宙、超时空音乐会……云栖大会即将开幕,将重磅发布核心技术。】

  【碳基芯片成华威救命稻草,华威主动公开专利,引发华米碳基芯片对决。】

  【硅基芯片即将到达极限?台积电再传好消息,我国早已布局。】

  【硅基芯片物理极限是七纳米,为何台积电却依然能做出五纳米的芯片?】

  【硅基光电子与微电子单片集成研究进展.......】

  网页上,一条又一条和芯片有关的信息映入韩元眼中。

  十余分钟后,他终于放下了鼠标,身体往后一倒,靠在椅背上。

  硅基芯片有另外一个名字,叫做‘硅基光电子集成芯片’。

  从命名来看,这个‘碳基集成电路板’几乎可以确认属于集成芯片中的概念。

  只是不知道这个集成电路能达到一个什么样的地步?

  能不能突破硅基芯片极限?

  对于这个,韩元很是期待。

  要知道,传统的硅基芯片是有极限的。

  这是物理极限,由硅原子和硅晶格的直径决定的,硅原子的直径是0.117纳米,但硅晶格的直径是0.5纳米左右。

  当硅基芯片突破1nm之后,量子隧穿效应将使得“电子失控”,芯片就完全失效。

  准确的说,传统的硅基芯片在5nm,甚至7nm以下,就已经存在量子隧穿效应了。

  但后面科学家通过不断的更换晶体管的材料来打破这个极限。

  世界上最小的晶体管是栅极长度为1纳米的二硫化钼。m.sttgxcl.com

  但无论再怎么更换晶体管的材料,硅基底的物理特性摆在了哪里。

  也就是说,硅基半导体材料的极限注定在一纳米这个数字上。

  低于一纳米,穿梭在晶体管中的电子会直接击穿硅基

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